RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3220
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link