RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
42
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
6.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
33
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
6.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1396
3224
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link