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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Motivi da considerare
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
71
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
28
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3739
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
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