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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
71
Intorno -238% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
21
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2981
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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