RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
71
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2981
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link