RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2442
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link