RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
71
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
31
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3356
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link