RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
71
Intorno -223% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
22
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2646
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link