RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
71
Intorno -238% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
21
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3255
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link