RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
71
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
28
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3727
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link