RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3727
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link