RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
71
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
39
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2574
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link