RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
71
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24.1
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
32
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
24.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
4001
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link