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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
67
71
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
67
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2042
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
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