RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
71
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2042
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link