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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
71
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
28
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3463
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
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