RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3463
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link