RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
76
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
76
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
1859
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link