RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
76
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
76
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1859
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link