RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
71
Intorno -196% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
24
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2326
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link