RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
71
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
39
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2297
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link