RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
71
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.6
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
38
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2107
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link