RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
71
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
36
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2474
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link