RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2474
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link