RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
71
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
37
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
3419
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link