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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
71
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3419
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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