RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
71
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,322.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
71
37
Velocità di lettura, GB/s
2,831.6
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,322.6
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
399
2191
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link