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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
61
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
61
Velocità di lettura, GB/s
13.7
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
1813
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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