RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
61
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1813
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link