RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
39
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
23
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
3498
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link