Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    39 left arrow 46
    Intorno 15% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    5 left arrow 16
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 1,597.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 5300
    Intorno 4.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 46
  • Velocità di lettura, GB/s
    5,022.9 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,597.0 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    753 left arrow 2660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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