RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Confronto
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
39
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,597.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
32
Velocità di lettura, GB/s
5,022.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
753
2641
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Confronto tra le RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link