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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
28
Velocità di lettura, GB/s
13.3
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3299
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
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