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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
57
Intorno 53% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
57
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2792
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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