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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2878
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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