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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3619
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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