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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
41
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3114
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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