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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3784
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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