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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3091
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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