RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2847
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link