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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
27
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
22
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2995
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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