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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
13.8
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1775
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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