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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
13.8
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3632
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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