RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3652
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link