RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
13.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3899
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link