PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.6 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.5 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 14.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 10.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 2409
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