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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2168
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
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