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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
13.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
2261
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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