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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3366
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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