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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
13.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3848
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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